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岡 弘; 丹野 敬嗣; 矢野 康英; 大塚 智史; 皆藤 威二; 舘 義昭
Journal of Nuclear Materials, 547, p.152833_1 - 152833_7, 2021/04
被引用回数：7 パーセンタイル：72.21(Materials Science, Multidisciplinary)本研究では、ODS鋼被覆管の強度決定因子であるナノサイズ酸化物粒子及び母相組織の高温・応力負荷下での安定性を評価するため、700
Cで45,000時間を超える内圧クリープ試験に供して破断したODS鋼被覆管の微細組織観察を行った。観察したODS鋼は、焼き戻しマルテンサイトを母相とする9Cr-ODS鋼及び再結晶フェライトを母相とする12Cr-ODS鋼の製造まま材及びクリープ破断材である。破断後の内圧クリープ試験片から切り出した板片を電解研磨にて薄膜化し、透過電子顕微鏡JEOL 2010Fにて観察した。観察の結果、ナノ粒子のサイズ及び数密度は700Cにて45,000時間を超えるクリープ試験後においてもほぼ変化なく、高温長時間試験中に安定に存在していたことを確認した。また、9Cr-ODS鋼の強度決定因子の一つである焼き戻しマルテンサイト組織についても、製造まま材とクリープ破断材の間に大きな違いはなく、母相組織は安定であることがわかった。
decomposition on Si(110)矢野 雅大; 魚住 雄輝*; 保田 諭; 朝岡 秀人; 塚田 千恵*; 吉田 光*; 吉越 章隆
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Internet), 16, p.370 - 374, 2018/08
Real-time scanning tunneling microscope (STM) measurements are performed during the thermal decomposition of an oxide layer on Si(110). Voids in which only oxide is removed are formed during the real-time measurements, unlike the thermal decomposition in which bulk Si is desorbed with oxide. Analysis of the STM images reveals that the measurement induces the decomposition of the oxide layer resulting from electron injection into the defect sites. The activation energy of thermal decomposition decreases by 0.4 eV in the range of 700-780C.
矢野 雅大; 魚住 雄輝*; 保田 諭; 朝岡 秀人
Japanese Journal of Applied Physics, 57(6S1), p.06HD04_1 - 06HD04_4, 2018/06
被引用回数：4 パーセンタイル：20.17(Physics, Applied)We have observed oxide decomposition process on Si(110). We have succeeded to observe metastable area and state by means of scanning tunneling microscope (STM) and X-ray photoemission spectroscopy (XPS), respectively.
八巻 徹也; 浅井 圭介*
Langmuir, 17(9), p.2564 - 2567, 2001/05
被引用回数：41 パーセンタイル：92.2(Chemistry, Multidisciplinary)TiOナノシートと有機分子から成る新規なハイブリッド多層膜をラングミュア-ブロジェット法によって作製することに成功した。層状チタン酸化合物H
Ti
□
O
・HO (x
0.7; □, 空孔)を剥離ゾル化した溶液上に臭化ジオクタデシルジメチルアンモニウム(DODAB)のクロロホルム溶液を展開すると、安定な単分子膜が形成された。DODAB分子とTiOナノシートが形成したハイブリッド単分子膜は、疎水化した石英ガラス基板上に定量的に累積された。X線回折測定によると、この試料は繰り返し単位3.4 nmでアンモニウム分子とTiOが交互積層した多層膜であった。
2 through wet etching矢野 雅大; 鈴木 翔太; 魚住 雄輝; 朝岡 秀人
no journal, ,
We have observed roughness and cleanness of Si(110) cleaned by two types of wet etching and low temperature annealing by means of low energy electron diffraction (LEED), scanning tunneling microscope (STM) and auger electron spectroscopy (AES). We have succeeded to obtain clean and large 16 2 surface by wet etching and low temperature annealing.
矢野 雅大; 魚住 雄輝*; 保田 諭; 朝岡 秀人
no journal, ,
We have observed time evolution of morphology and electronic state of oxide Si(110) during reduction process. We found metastable area and state by means of scanning tunneling microscope (STM) and X-ray photoemission spectroscopy (XPS), respectively.
2矢野 雅大; 寺澤 知潮; 保田 諭; 町田 真一*; 朝岡 秀人
no journal, ,
Si(110)-162再構成構造上のSi原子の異方性拡散係数比を、走査型トンネル顕微鏡(STM)を用いて「ボイド」を観察することによって決定される。各ボイド深さの異方性成長速度比を評価するために、ボイド縁の長さを測定した。ボイド形状の異方性はボイドが深くなるにつれて低下し、側壁拡散時のSi密度比の低下を示している。拡散したSi原子の上部テラス、下部テラス、および隣接する側壁への移動を考慮して、[1
2]と[12]に沿った方向の拡散係数を決定した。それにより、Si(110)-162のステップ行に平行は、他の方向のものより3.0倍高くなることを明らかにした。
矢野 雅大; 朝岡 秀人
no journal, ,
Au(100)とAu(111)上で前駆体分子の自己組織化単層膜を基にボトムアップ合成したグラフェンナノリボンをSTMを用いて観測した。自己組織化単層膜を基にしたグラフェンナノリボンは、基になった分子配向によって配向方位が制御可能であることが明らかになった。特に、Au(100)上ではグラフェンナノリボンの形成方位が基板再構成構造の一次元状の凹凸方位と一致するため、グラフェンナノリボンの形成方位の制御性が高い。これは、グラフェンナノリボンをデバイス応用する上で重要な知見となる。
矢野 雅大; 保田 諭; 朝岡 秀人
no journal, ,
Bottom-up synthesis has attracted attention for the fabrication of graphene nanoribbons (GNRs) with atomically-precise structures to realize novel electronic devices. However, control of length and orientation during GNR synthesis is difficult, thus, achieving longer and aligned GNR growth is a significant challenge. Herein, we report GNR synthesis from a well-ordered precursor monolayer on Au surfaces for long and oriented GNR growth. STM showed that DBBAs deposited on Au(111) at room temperature self-assembled into a well-ordered monolayer, in which the DBBAs were ordered in a straight line and the Br atoms in each molecule were oriented in the 
direction. The DBBAs in the monolayer were found to polymerize along with the molecular arrangement, resulting in longer and oriented GNR growth compared to the conventional growth method. These findings provide fundamental knowledge for controlling GNR growth from a well-ordered precursor monolayer to achieve longer and oriented GNRs.
